| 产品型号： | TMR2104 | |
| 兼容型号： | — | |
| 磁阻结构： | 全桥 | |
| 供电电压： | 0～7 V | |
| 敏度（mV/V/Oe）： | 3.1 | |
| 电阻（kΩ）： | 30 | |
| 饱和�。∣e）： | ±150 | |
| 敏感方向： | X轴 | |
| 磁滞（Oe）： | 0.5 | |
| 本底噪声（nT/rt(Hz) @1Hz）： | ～10 | |
| 封装形式： | SOP8 DFN8L(3×3×0.75) | |
| 交付周期： | In stock | |
| 规格说明书： |
产品概述：TMR2104采用了一个独特的推挽式惠斯通全桥结构设计，包含四个非屏蔽高灵敏度TMR传感器元件。当外加磁场沿平行于传感器敏感方向变化时，惠斯通全桥提供差分电压输出，并且该输出具有良好的温度稳定性。TMR2104性能优越，采用SOP8（6mm × 5mm × 1.5mm）、DFN8L(3mm × 3mm × 0.75mm)封装形式。
产品特性：（1）隧道磁电阻(TMR)技术；（2）高灵敏度；（3）宽动态范围；（4）低功耗；（5）优越的温度稳定性
典型应用：（1）磁力计；（2）电流传感器；（3）角度传感器；（4）位置传感器
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