产品概述：TMR2003采用了一个独特的推挽式惠斯通全桥结构设计，包含四非屏蔽高灵敏度TMR传感器元件。当外加磁场沿平行于传敏方向变化时，惠斯通全桥提供差分电压输出并且该输出具有良好的温度稳定性。TMR2003性能优越，采用SOT23-5（3mm×3mm×1.45mm）封装形式 。
产品特性：（1）隧道磁电阻(TMR)技术；（2）高灵敏度；（3）宽动态范围；（4）低功耗；（5）优越的温度稳定性
典型应用：（1）磁力计；（2）电流传感器；（3）角度传感器；（4） 位置传感器
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