多维科技推出高灵敏度200nA全极TMR磁开关传感器芯片 - 行业资讯 - 传感器知识库
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多维科技推出高灵敏度200nA全极TMR磁开关传感器芯片

发布日期:2019年06月18日    浏览次数:723

多维科技推出200nA高灵敏度全极TMR磁开关传感器芯片.pdf


中国江苏省张家港市2019年6月18日电 江苏多维科技有限公司日前推出纳安级低功耗、高灵敏度和宽温区的TMR磁开关传感器芯片TMR1366,其主要特点包括,200nA功耗,7/5 Gs开启点/释放点,50Hz频率响应,-40~125℃工作温度范围,良好的抗外磁场干扰特性,SOT23-3或TO-92S封装。

 

TMR1366是纳安级低功耗TMR磁开关传感器芯片系列产品的最新组成部分。TMR1366/TMR1162/TMR1262/TMR1362磁开关传感器芯片的用途包括智能流量计、接近开关、无线门禁、智能药丸和便携式智能医药器具等靠电池供电的磁传感器应用。

 1366


纳安级低功耗TMR磁开关传感器芯片系列产品选型表

1366选型

多维科技的磁传感器芯片产品系列包括TMR磁开关传感器芯片、TMR线性磁场传感器芯片、TMR磁性角度传感器芯片、TMR磁性齿轮传感器芯片,磁传感器模组产品系列包括TMR磁特征检测传感器模组(金融磁头)、TMR磁图像传感器模组、TMR齿轮编码器模组、TMR旋转编码器模组、TMR电流传感器模组、TMR液位传感器模组、USB磁强计模组(高斯计)、AGV磁导航传感器模组、非接触式线性位移传感器模组等。

 

多维科技(MDT)简介

MDT创立于2010年,总部设在中国江苏省张家港,在中国北京、成都、宁波、日本大阪和美国加利福尼亚州圣何塞设有分公司。MDT拥有多项独特的专利技术和先进的制造能力,可批量生产高性能、低成本的磁传感器以满足严格的应用需求。MDT核心管理团队由磁传感器技术和工程服务领域的业内精英和资深专家组成。在核心团队的带领下,MDT致力于为客户带来更多附加值,并确保他们的成功。有关MDT详情,请访问:www.race-coar.com。

 

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消息来源:江苏多维科技有限公司


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